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多弧离子真空镀膜机镀技术采用什么电弧蒸发呢


多弧离子真空镀膜机镀技术是采用阴极电弧蒸发源的一种离子镀技术。阴极电弧蒸发源可以是Ti,AI,Zr,Cr等单相靶材,也可以是由它们组成的多相靶材,多弧离子镀应用面广,实用性强。除了具有其他各种离子镀方法的广泛途外,特别在高速钢刀具镀覆TiN等超硬膜层的应用方面的发展最为迅速,并进入了工业化阶段。

TiN薄膜由于其具有高硬度、低摩擦系数、良好的化学惰性、独特的颜色以及良好的生物相容性等,在机械工业、塑料纺织、医学工业及微电子工业等领域得到广泛应用,并成为目前工业研究和应用最为广泛的薄膜材料之一。
TiN膜的制备方法大体可分为:物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD),其中PVD应用较多,真空玫瑰金设备也有采用多弧离子镀、空心阴极离子镀、等离子体溅射、离子辅助气相沉积等技术沉积TiN薄膜的报道。多弧离子镀由于其特有的技术优势,在TiN超硬膜的沉积方面得到广泛的重视及应用。多弧离子镀沉积技术由于 离子能量较其他PVD技术的高,制备的TiN膜层的结合力普遍较高。同时,在镀膜前进行一定时间的离子轰击,会使结合力得到更加明显的提高。

CrN超硬膜因其良好的抗氧化、耐腐蚀、抗磨损性能而受到较多的关注。通常所说的CrN超硬膜,实际上可以泛指Cr的氮化特膜,包括CrN,Cr2N等不同元素酷毙的反应物膜。
与TiN膜的制备方法相近,CrN膜的主要沉积技术有:多弧离子镀、空心阴极离子镀、磁控溅射离子镀、离子辅助气相沉积等

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